RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
52
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2734
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link