RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
86
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
86
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
5.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1220
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link