RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
86
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
86
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
12.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
1220
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link