RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
54
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
54
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2511
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link