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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
比較する
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
総合得点
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
総合得点
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
52
54
周辺 4% 低遅延
考慮すべき理由
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
15.7
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.6
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
54
読み出し速度、GB/s
9.8
15.7
書き込み速度、GB/秒
8.0
11.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2179
2511
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAMの比較
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
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Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
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