RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 38
    周辺 32% 低遅延
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 14.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 2915

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAMの比較

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB RAMの比較

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
メモリRAM