RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2915
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link