RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
38
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2915
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link