RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
52
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
4095
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Mushkin 994083 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link