RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3718
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link