Porównanie pamięci RAM Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Wynik ogólny

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

25 28

Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.1 10.3

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

15.4 13.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 19200

Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara

no data / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

3419 2892

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns