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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

総合得点
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 28
    周辺 11% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 10.3
    テスト平均値
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.1 left arrow 10.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    no data / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3419 left arrow 2892

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