Comparación de la memoria RAM Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Puntuación global

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 28

En 11% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.1 10.3

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.4 13.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 19200

En 1.33 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj

no data / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3419 2892

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns