Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Pontuação geral
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Pontuação geral
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 28
    Por volta de 11% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.1 left arrow 10.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.4 left arrow 13.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 19200
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    25 left arrow 28
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.4 left arrow 15.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.1 left arrow 10.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Tempos / Velocidade do relógio
    no data / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3419 left arrow 2892
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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