Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 28
    Intorno 11% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.1 left arrow 10.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.4 left arrow 13.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 19200
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    25 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.4 left arrow 15.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.1 left arrow 10.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3419 left arrow 2892
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti