Confronto tra le RAM Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

25 28

Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.1 10.3

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.4 13.4

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 19200

Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3419 2892

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns