RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
48
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
48
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
2466
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link