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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Confronto
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
48
Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
8.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
48
Velocità di lettura, GB/s
14.6
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2355
2466
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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