RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3830
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link