RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
56
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,501.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
4200
Wokół strony 6.1 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
48
Prędkość odczytu, GB/s
3,161.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,501.2
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
25600
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
381
2852
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link