RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3687
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link