RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
44
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2971
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link