RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3011
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link