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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
11.2
17.0
写入速度,GB/s
8.1
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3011
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905670-012.A00G 8GB
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Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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