RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
79
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
79
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
1651
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link