RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3423
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link