RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
44
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
20
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3359
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link