RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
58
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
58
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1998
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link