RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
73
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
55
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2701
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link