RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
55
73
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
55
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2701
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link