RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3014
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link