RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
38
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3014
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link