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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
38
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3014
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
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Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
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