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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
69
Por volta de -109% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
12.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3315
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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