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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
69
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
33
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
3315
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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