RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3409
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link