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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
11.2
18.3
写入速度,GB/s
8.1
14.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3409
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB RAM的比较
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
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