RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
44
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2965
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link