RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
44
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
40
Velocità di lettura, GB/s
11.2
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
2965
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link