RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3104
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link