RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2443
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link