RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.2
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
12.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2443
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link