RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2382
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link