RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
51
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
51
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2387
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link