RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
44
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2774
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link