RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2312
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link