RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2382
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link