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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
44
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
28
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
2382
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
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