RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
57
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
57
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2253
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link