RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
57
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
2253
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link