RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
92
Rund um -171% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
5.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
1839
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link